Infineon MOSFET, Power MOSFET- og IGBT-driver med høj hastighed, 2 A, 16 Ben 1.23kV, SOIC
- RS-varenummer:
- 226-6158
- Producentens varenummer:
- IR2213STRPBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*
Kr. 27.379,00
(ekskl. moms)
Kr. 34.224,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 12. juli 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | Kr. 27,379 | Kr. 27.379,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 226-6158
- Producentens varenummer:
- IR2213STRPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | Power MOSFET- og IGBT-driver med høj hastighed | |
| Udgangsstrøm | 2A | |
| Benantal | 16 | |
| Emballagetype | SOIC | |
| Faldtid | 17ns | |
| Antal udgange | 2 | |
| Driver-type | MOSFET | |
| Stigetid | 25ns | |
| Forsyningsspænding min. | 20V | |
| Forsyningsspænding maks. | 1.23kV | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 125°C | |
| Bredde | 7.6mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 10.5mm | |
| Højde | 2.65mm | |
| Serie | IR2213(S)PBF | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype Power MOSFET- og IGBT-driver med høj hastighed | ||
Udgangsstrøm 2A | ||
Benantal 16 | ||
Emballagetype SOIC | ||
Faldtid 17ns | ||
Antal udgange 2 | ||
Driver-type MOSFET | ||
Stigetid 25ns | ||
Forsyningsspænding min. 20V | ||
Forsyningsspænding maks. 1.23kV | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 125°C | ||
Bredde 7.6mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 10.5mm | ||
Højde 2.65mm | ||
Serie IR2213(S)PBF | ||
Monteringstype Overflade | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IR2213(S) er en højspændings, højhastigheds MOSFET og IGBT driver med uafhængige høj- og lavside-refererede udgangskanaler. Beskyttede HVIC- og LATCH immune CMOS-teknologier muliggør robust monolitisk konstruktion. Logiske indgange er kompatible med standard CMOS eller LSTTL udgange, ned til 3,3 V logik.
Flydende kanal beregnet til bootstrap-drift
Fuldt funktionsdygtig op til +1200 V.
Tåler negativ transientspænding og er dV/dt-immun
Gate-drevets forsyningsområde fra 12 V til 20 V.