Infineon MOSFET, Gate-driver, 1.9 A, 14 Ben 20V, SOIC

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 80,04

(ekskl. moms)

Kr. 100,05

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 870 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 20Kr. 16,008Kr. 80,04
25 - 45Kr. 13,644Kr. 68,22
50 - 120Kr. 12,82Kr. 64,10
125 - 245Kr. 11,848Kr. 59,24
250 +Kr. 11,04Kr. 55,20

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
226-6206
Producentens varenummer:
IRS21844STRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

Gate-driver

Udgangsstrøm

1.9A

Benantal

14

Faldtid

35ns

Emballagetype

SOIC

Driver-type

MOSFET

Antal udgange

2

Stigetid

40ns

Forsyningsspænding min.

10V

Forsyningsspænding maks.

20V

Min. driftstemperatur

-40°C

Driftstemperatur maks.

125°C

Bredde

3.99mm

Højde

1.75mm

Serie

IRS

Standarder/godkendelser

No

Længde

8.74mm

Monteringstype

Overflade

Bilindustristandarder

Nej

Infineon IRS seriens gate-driver, 10 V minimumsforsyningsspænding, 1,9 A udgangsstrøm - IRS21844STRPBF


Denne gate-driver giver 2-kanals MOSFET-drev til strøm-switch-kredsløb, der er designet til overflademonteret integration. Den accepterer forsyningsspændinger i et område på 10 V-20 V og leverer kontrolleret drev til to udgange, hvilket understøtter effektiv omskiftning i industrielle og strømelektroniske sammenhænge, mens den fungerer over et bredt omgivende temperaturområde.

Egenskaber og fordele:


• 1,9 A udgangsstrøm leverer stærkt drev pr. kanal for hurtig omskiftning
• Stigningstid 40 ns minimerer omskiftningsvarigheden for forbedret effektivitet
• Falltid på 35 ns reducerer slukningstab under højhastighedsdrift
• 14-benet hus understøtter kompakt overflademontering til tætte samlinger
• Driftsområde -40 °C til 125 °C muliggør brug i forskellige termiske miljøer

Anvendelser


• Velegnet til MOSFET-gatedrivere 10 V-20 V 2-udgangs SOIC-styringstrin
• Ideel til IRS-serien af gate-drivere med 1,9 A udgangsspændingskredsløb
• Anvendes sammen med højhastigheds MOSFET-driver 1,9 ampere pr. kanalswitching-design
• Kan bruges til kompakte overflademonterede portdrivere med 14-benede SOIC-layouts
• Anvendes til industrielle gate-drivere med 10 V minimum forsyningsstrømmoduler

Hvilken hustype skal overvejes ved printkortdesign?


Enheden leveres i en SOIC-pakke og kræver et 14-benet fodaftryk, der er kompatibelt med overflademonteret samling.

Hvilket antal ben påvirker routing og gate-tilslutninger?


Der er 14 ben, der tildeler separate forbindelser til dobbelte udgange og forsyningslinjer, der påvirker kortrouting.

Hvordan påvirker temperaturkapaciteten langsigtet implementering?


Den maksimale driftstemperatur er 125 °C, og minimumstemperaturen er -40 °C, hvilket understøtter brug i høje temperaturer og kolde miljøer uden ændring af specifikationerne.

Hvilken monteringstilgang kræves der under monteringen?


Overflademonteret placering er påkrævet på grund af enhedens monteringstype og husformat.

Hvilken drivertypeklassificering gælder for valg af koblingstopologi?


Enheden fungerer som en MOSFET-driver, der er beregnet til direkte gate-drift i strøm-elektroniske topologier.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.