Infineon Høj side, Gate-driver-modul, 2 A, 16 Ben 20 V, SOIC

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 33,36

(ekskl. moms)

Kr. 41,70

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 16,68Kr. 33,36
20 - 48Kr. 14,06Kr. 28,12
50 - 98Kr. 13,20Kr. 26,40
100 - 198Kr. 12,19Kr. 24,38
200 +Kr. 11,37Kr. 22,74

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
258-4006
Producentens varenummer:
IRS2113STRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

Gate-driver-modul

Udgangsstrøm

2A

Benantal

16

Emballagetype

SOIC

Faldtid

17ns

Driver-type

Høj side

Stigetid

25ns

Forsyningsspænding min.

10V

Forsyningsspænding maks.

20V

Min. driftstemperatur

-40°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS Compliant

Serie

IRS

Bilindustristandarder

Nej

Infineons højspændings, højhastigheds effekt MOSFET- og IGBT-drivere med uafhængige referencerede udgangskanaler på høj side og lav side. Egne HVIC- og låseimmune CMOS-teknologier muliggør robust monolitisk konstruktion. Logikindgange er kompatible med standard CMOS- eller LSTTL-udgang, ned til 3,3 V logik. Udgangsdrivere har et buffertrin med høj impulsstrøm, der er designet til minimal driverkredsledning. Udbredelsesforsinkelser er tilpasset for at forenkle brugen i højfrekvente anvendelser. Den flydende kanal kan bruges til at drive en N-kanal effekt MOSFET eller IGBT i high-side konfiguration, der fungerer op til 500 V eller 600 V.

Gate-drev forsyningsområde fra 10 V til 20 V

Underspændingsspærring for begge kanaler

3,3 V logikkompatibel

Separat logikforsyningsområde fra 3,3 V til 20 V

Logik- og strømjord ± 5 V forskydning

CMOS Schmitt-triggerede indgange med pull-down

Cyklus for cyklus kant-triggeret nedlukningslogik

Matchende udbredelsesforsinkelse for begge kanaler

Udgange i fase med indgange

Relaterede links