IXYS, IGBT-modul, Type N-Kanal, 135 A 1200 V 30 kHz, 7 Ben, Y4-M5 Overflade
- RS-varenummer:
- 193-874
- Producentens varenummer:
- MII100-12A3
- Brand:
- IXYS
Indhold (1 enhed)*
Kr. 570,87
(ekskl. moms)
Kr. 713,59
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 17. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 + | Kr. 570,87 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 193-874
- Producentens varenummer:
- MII100-12A3
- Brand:
- IXYS
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Produkttype | IGBT-modul | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 135A | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 1200V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 560W | |
| Emballagetype | Y4-M5 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Kanaltype | Type N | |
| Benantal | 7 | |
| Switching-hastighed | 30kHz | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 2.7V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Portsenderspænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 30mm | |
| Serie | NPT | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 94mm | |
| Bredde | 34 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Produkttype IGBT-modul | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 135A | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 1200V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 560W | ||
Emballagetype Y4-M5 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Kanaltype Type N | ||
Benantal 7 | ||
Switching-hastighed 30kHz | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 2.7V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Portsenderspænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 30mm | ||
Serie NPT | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 94mm | ||
Bredde 34 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
IGBT moduler, IXYS
IGBT diskrete halvledere og moduler, IXYS
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.