IXYS, IGBT-modul, Type N-Kanal, 135 A 1200 V 30 kHz, 7 Ben, Y4-M5 Overflade

Se alle IGBT

Indhold (1 enhed)*

Kr. 570,87

(ekskl. moms)

Kr. 713,59

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 15. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 +Kr. 570,87

*Vejledende pris

RS-varenummer:
193-874
Producentens varenummer:
MII100-12A3
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

135A

Produkttype

IGBT-modul

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

1200V

Effektafsættelse maks. Pd

560W

Emballagetype

Y4-M5

Monteringstype

Overflade

Kanaltype

Type N

Benantal

7

Switching-hastighed

30kHz

Portsenderspænding maks.

20 V

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

2.7V

Min. driftstemperatur

-40°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Serie

NPT

Standarder/godkendelser

No

Højde

30mm

Længde

94mm

Bilindustristandarder

Nej

IGBT moduler, IXYS


IGBT diskrete halvledere og moduler, IXYS


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.