IXYS, IGBT-modul, N-Kanal, 135 A 1200 V 30 kHz, 7 Ben, Y4-M5 Overflade
- RS-varenummer:
- 193-874
- Producentens varenummer:
- MII100-12A3
- Brand:
- IXYS
Indhold (1 enhed)*
Kr. 570,87
(ekskl. moms)
Kr. 713,59
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 02. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 + | Kr. 570,87 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 193-874
- Producentens varenummer:
- MII100-12A3
- Brand:
- IXYS
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 135A | |
| Produkttype | IGBT-modul | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 1200V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 560W | |
| Emballagetype | Y4-M5 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Kanaltype | N | |
| Benantal | 7 | |
| Switching-hastighed | 30kHz | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 2.7V | |
| Portsenderspænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Serie | NPT | |
| Højde | 30mm | |
| Længde | 94mm | |
| Bredde | 34mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 135A | ||
Produkttype IGBT-modul | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 1200V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 560W | ||
Emballagetype Y4-M5 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Kanaltype N | ||
Benantal 7 | ||
Switching-hastighed 30kHz | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 2.7V | ||
Portsenderspænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Serie NPT | ||
Højde 30mm | ||
Længde 94mm | ||
Bredde 34mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
IGBT moduler, IXYS
IGBT diskrete halvledere og moduler, IXYS
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.