MII75-12A3, IGBT-modul, N-Kanal, 90 A 1200 V, 7 ben, Y4 M5 Serie

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 æske af 6 enheder)*

Kr. 3.049,71

(ekskl. moms)

Kr. 3.812,136

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 14. december 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr æske*
6 - 24Kr. 508,285Kr. 3.049,71
30 - 54Kr. 464,57Kr. 2.787,42
60 +Kr. 453,388Kr. 2.720,33

*Vejledende pris

RS-varenummer:
168-4475
Producentens varenummer:
MII75-12A3
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Kollektorstrøm kontinuerlig maks.

90 A

Kollektor emitter spænding maks.

1200 V

Gate emitter spænding maks.

±20V

Konfiguration

Serie

Kapslingstype

Y4 M5

Monteringstype

Panelmontering

Kanaltype

N

Benantal

7

Transistorkonfiguration

Serie

Dimensioner

94 x 34 x 30mm

Driftstemperatur maks.

+150 °C

Driftstemperatur min.

-40 °C

IGBT moduler, IXYS



IGBT diskrete halvledere og moduler, IXYS


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links