IXYS, IGBT, N-Kanal, 12 A 1700 V, 3 Ben, TO-247AD Hulmontering
- RS-varenummer:
- 194-760
- Elfa Distrelec varenummer:
- 302-53-417
- Producentens varenummer:
- IXGH6N170
- Brand:
- IXYS
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 93,76
(ekskl. moms)
Kr. 117,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 21 enhed(er) afsendes fra 07. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 93,76 |
| 5 - 24 | Kr. 84,52 |
| 25 - 49 | Kr. 78,17 |
| 50 - 99 | Kr. 73,08 |
| 100 + | Kr. 67,99 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 194-760
- Elfa Distrelec varenummer:
- 302-53-417
- Producentens varenummer:
- IXGH6N170
- Brand:
- IXYS
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Produkttype | IGBT | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 12A | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 1700V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 75W | |
| Emballagetype | TO-247AD | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Kanaltype | N | |
| Benantal | 3 | |
| Portsenderspænding maks. | ±20 V | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 4V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 15.75mm | |
| Serie | High Voltage | |
| Længde | 19.81mm | |
| Standarder/godkendelser | International Standard Packages | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Produkttype IGBT | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 12A | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 1700V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 75W | ||
Emballagetype TO-247AD | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Kanaltype N | ||
Benantal 3 | ||
Portsenderspænding maks. ±20 V | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 4V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 15.75mm | ||
Serie High Voltage | ||
Længde 19.81mm | ||
Standarder/godkendelser International Standard Packages | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
IGBT diskrete, IXYS
IGBT diskrete halvledere og moduler, IXYS
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.