IXYS, IGBT, Type N-Kanal, 32 A 1700 V, 3 Ben, TO-247AD Hulmontering
- RS-varenummer:
- 194-776
- Elfa Distrelec varenummer:
- 302-53-412
- Producentens varenummer:
- IXGH16N170
- Brand:
- IXYS
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 77,04
(ekskl. moms)
Kr. 96,30
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1 enhed(er) afsendes fra 06. april 2026
- Plus 2 enhed(er) afsendes fra 06. april 2026
- Plus 350 enhed(er) afsendes fra 13. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 77,04 |
| 10 - 19 | Kr. 66,95 |
| 20 + | Kr. 63,73 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 194-776
- Elfa Distrelec varenummer:
- 302-53-412
- Producentens varenummer:
- IXGH16N170
- Brand:
- IXYS
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Produkttype | IGBT | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 32A | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 1700V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 190W | |
| Emballagetype | TO-247AD | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Kanaltype | Type N | |
| Benantal | 3 | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portsenderspænding maks. | ±20 V | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 3.5V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 19.81mm | |
| Standarder/godkendelser | UL 94 V-0 | |
| Serie | High Voltage | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Produkttype IGBT | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 32A | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 1700V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 190W | ||
Emballagetype TO-247AD | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Kanaltype Type N | ||
Benantal 3 | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portsenderspænding maks. ±20 V | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 3.5V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 19.81mm | ||
Standarder/godkendelser UL 94 V-0 | ||
Serie High Voltage | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
IGBT diskrete, IXYS
IGBT diskrete halvledere og moduler, IXYS
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.
Relaterede links
- IXGH16N170 N-Kanal 3 ben, TO-247AD Enkelt
- IXGH6N170 N-Kanal 3 ben, TO-247AD Enkelt
- IXGH24N170 N-Kanal 3 ben, TO-247AD Enkelt
- IXGH32N170 N-Kanal 3 ben, TO-247AD Enkelt
- AUIRGP4063D-E N-Kanal 3 ben, TO-247AD Enkelt
- IXXH80N65B4H1 N-Kanal 3 ben, TO-247AD 1 Enkelt
- IXYN30N170CV1 N-Kanal 4 ben, SOT-227B 1 Enkelt
- IXYN30N170CV1 N-Kanal 4 ben, SOT-227B 1 Enkelt