IXYS, IGBT, N-Kanal, 32 A 1.7 kV, 3 Ben, TO-247AD Hulmontering
- RS-varenummer:
- 168-4504
- Producentens varenummer:
- IXGH16N170
- Brand:
- IXYS
Indhold (1 rør af 30 enheder)*
Kr. 1.796,25
(ekskl. moms)
Kr. 2.245,32
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 30 + | Kr. 59,875 | Kr. 1.796,25 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 168-4504
- Producentens varenummer:
- IXGH16N170
- Brand:
- IXYS
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Produkttype | IGBT | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 32A | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 1.7kV | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 190W | |
| Emballagetype | TO-247AD | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Kanaltype | N | |
| Benantal | 3 | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 3.5V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portsenderspænding maks. | ±20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Serie | High Voltage | |
| Standarder/godkendelser | UL 94 V-0 | |
| Bredde | 15.75mm | |
| Længde | 19.81mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Produkttype IGBT | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 32A | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 1.7kV | ||
Effektafsættelse maks. Pd 190W | ||
Emballagetype TO-247AD | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Kanaltype N | ||
Benantal 3 | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 3.5V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portsenderspænding maks. ±20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Serie High Voltage | ||
Standarder/godkendelser UL 94 V-0 | ||
Bredde 15.75mm | ||
Længde 19.81mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
IGBT diskrete, IXYS
IGBT diskrete halvledere og moduler, IXYS
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.
Relaterede links
- IXYS N-Kanal 3 Ben, TO-247AD Hulmontering
- IXYS N-Kanal 3 Ben, TO-247AD Hulmontering
- IXYS N-Kanal 3 Ben, TO-247AD Hulmontering
- IXYS N-Kanal 3 Ben, TO-247AD Hulmontering
- IXYS N-Kanal 3 Ben Overflade
- IXYS N-Kanal 3 Ben, TO-247AD Hulmontering
- IXYS N-Kanal 3 Ben, PLUS247 Hulmontering
- IXYS N-Kanal 4 Ben, SOT-227B Overflade
