IXYS, IGBT, Type N-Kanal, 32 A 1700 V, 3 Ben, TO-247AD Hulmontering
- RS-varenummer:
- 168-4504
- Producentens varenummer:
- IXGH16N170
- Brand:
- IXYS
Indhold (1 rør af 30 enheder)*
Kr. 1.796,25
(ekskl. moms)
Kr. 2.245,32
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 240 enhed(er) afsendes fra 05. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 30 + | Kr. 59,875 | Kr. 1.796,25 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 168-4504
- Producentens varenummer:
- IXGH16N170
- Brand:
- IXYS
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Produkttype | IGBT | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 32A | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 1700V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 190W | |
| Emballagetype | TO-247AD | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Kanaltype | Type N | |
| Benantal | 3 | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portsenderspænding maks. | ±20 V | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 3.5V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | UL 94 V-0 | |
| Serie | High Voltage | |
| Længde | 19.81mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Produkttype IGBT | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 32A | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 1700V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 190W | ||
Emballagetype TO-247AD | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Kanaltype Type N | ||
Benantal 3 | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portsenderspænding maks. ±20 V | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 3.5V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser UL 94 V-0 | ||
Serie High Voltage | ||
Længde 19.81mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
IGBT diskrete, IXYS
IGBT diskrete halvledere og moduler, IXYS
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.
Relaterede links
- IXYS Type N-Kanal 3 Ben, TO-247AD Hulmontering
- IXYS Type N-Kanal 3 Ben, TO-247AD Hulmontering
- IXYS Type N-Kanal 3 Ben, TO-247AD Hulmontering
- IXYS Type N-Kanal 3 Ben, TO-247AD Hulmontering
- IXYS Type N-Kanal 3 Ben Overflade
- IXYS Type N-Kanal 3 Ben, TO-247AD Hulmontering
- IXYS Type N-Kanal 3 Ben, PLUS247 Hulmontering
- IXYS Type N-Kanal 4 Ben, SOT-227B Overflade