IXYS, IGBT, Type N-Kanal, 50 A 1700 V 290 ns, 3 Ben, TO-247AD Hulmontering, Overflade

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 134,90

(ekskl. moms)

Kr. 168,62

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 5 enhed(er) afsendes fra 06. april 2026
  • Plus 4 enhed(er) afsendes fra 13. april 2026
  • Plus 30 enhed(er) afsendes fra 08. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 4Kr. 134,90
5 - 19Kr. 116,09
20 - 49Kr. 111,08
50 - 99Kr. 100,61
100 +Kr. 97,99

*Vejledende pris

RS-varenummer:
194-883
Elfa Distrelec varenummer:
302-53-413
Producentens varenummer:
IXGH24N170
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Produkttype

IGBT

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

50A

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

1700V

Effektafsættelse maks. Pd

250W

Emballagetype

TO-247AD

Monteringstype

Hulmontering, Overflade

Kanaltype

Type N

Benantal

3

Switching-hastighed

290ns

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

3.3V

Portsenderspænding maks.

±20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

UL 94 V-0

Serie

IXGH

Længde

20.32mm

Højde

19.1mm

Bilindustristandarder

Nej

IGBT diskrete, IXYS


IGBT diskrete halvledere og moduler, IXYS


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links