IXYS, IGBT, N-Kanal, 75 A 1.7 kV 250 ns, 3 Ben, TO-247AD Hulmontering

Se alle IGBT

Indhold (1 rør af 30 enheder)*

Kr. 3.195,39

(ekskl. moms)

Kr. 3.994,23

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder
Per stk.
Pr rør*
30 +Kr. 106,513Kr. 3.195,39

*Vejledende pris

RS-varenummer:
168-4507
Producentens varenummer:
IXGH32N170
Brand:
IXYS
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

IXYS

Produkttype

IGBT

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

75A

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

1.7kV

Effektafsættelse maks. Pd

350W

Emballagetype

TO-247AD

Monteringstype

Hulmontering

Kanaltype

N

Benantal

3

Switching-hastighed

250ns

Min. driftstemperatur

-55°C

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

3.3V

Portsenderspænding maks.

±20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Serie

High Voltage

Standarder/godkendelser

UL 94 V-0

Bilindustristandarder

Nej

IGBT diskrete, IXYS


IGBT diskrete halvledere og moduler, IXYS


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links