IXYS, IGBT, Type N-Kanal, 75 A 1700 V 250 ns, 3 Ben, TO-247AD Hulmontering
- RS-varenummer:
- 168-4507
- Producentens varenummer:
- IXGH32N170
- Brand:
- IXYS
Indhold (1 rør af 30 enheder)*
Kr. 3.195,39
(ekskl. moms)
Kr. 3.994,23
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 30 enhed(er) afsendes fra 01. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 30 + | Kr. 106,513 | Kr. 3.195,39 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 168-4507
- Producentens varenummer:
- IXGH32N170
- Brand:
- IXYS
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | IXYS | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 75A | |
| Produkttype | IGBT | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 1700V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 350W | |
| Emballagetype | TO-247AD | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Kanaltype | Type N | |
| Benantal | 3 | |
| Switching-hastighed | 250ns | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 3.3V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portsenderspænding maks. | ±20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Serie | High Voltage | |
| Standarder/godkendelser | UL 94 V-0 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand IXYS | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 75A | ||
Produkttype IGBT | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 1700V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 350W | ||
Emballagetype TO-247AD | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Kanaltype Type N | ||
Benantal 3 | ||
Switching-hastighed 250ns | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 3.3V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portsenderspænding maks. ±20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Serie High Voltage | ||
Standarder/godkendelser UL 94 V-0 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
IGBT diskrete, IXYS
IGBT diskrete halvledere og moduler, IXYS
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.
Relaterede links
- IXYS Type N-Kanal 3 Ben, TO-247AD Hulmontering
- IXYS Type N-Kanal 3 Ben Overflade
- IXYS Type N-Kanal 3 Ben, TO-247AD Hulmontering
- IXYS Type N-Kanal 3 Ben, TO-247AD Hulmontering
- IXYS Type N-Kanal 3 Ben, TO-247AD Hulmontering
- IXYS Type N-Kanal 3 Ben, PLUS247 Hulmontering
- IXYS Type N-Kanal 4 Ben, SOT-227B Overflade
- IXYS Type N-Kanal 3 Ben, TO-247 Hulmontering
