IGB30N60H3ATMA1, IGBT, N-Kanal, 30 A 600 V, 3+Tab ben, D2PAK (TO-263) Enkelt

Indhold 5 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*

Kr. 40,92

(ekskl. moms)

Kr. 51,15

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder
Per stk.
5 +Kr. 8,184

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
110-7122P
Producentens varenummer:
IGB30N60H3ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kollektorstrøm kontinuerlig maks.

30 A

Kollektor emitter spænding maks.

600 V

Gate emitter spænding maks.

±20V

Effektafsættelse maks.

187 W

Kapslingstype

D2PAK (TO-263)

Monteringstype

Overflademontering

Kanaltype

N

Benantal

3+Tab

Transistorkonfiguration

Enkelt

Dimensioner

10.31 x 9.45 x 4.57mm

Driftstemperatur maks.

+175 °C

Portkapacitans

1630pF

Driftstemperatur min.

-40 °C

Nominel energi

1.55mJ

RoHS Status: Undtaget

Relaterede links