STGB20N40LZ, IGBT, N-Kanal, 25 A 425 V, 3 ben, D2PAK (TO-263) Enkelt

Se alle IGBT
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig
RS-varenummer:
165-6551
Producentens varenummer:
STGB20N40LZ
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kollektorstrøm kontinuerlig maks.

25 A

Kollektor emitter spænding maks.

425 V

Gate emitter spænding maks.

16V

Effektafsættelse maks.

150 W

Kapslingstype

D2PAK (TO-263)

Monteringstype

Overflademontering

Kanaltype

N

Benantal

3

Transistorkonfiguration

Enkelt

Dimensioner

10.4 x 9.35 x 4.6mm

Driftstemperatur min.

-55 °C

Driftstemperatur maks.

+175 °C

COO (Country of Origin):
CN

IGBT diskrete, ST Microelectronics



IGBT diskrete halvledere og moduler, ST Microelectronics


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links