RJH60D3DPP-M0#T2, IGBT, N-Kanal, 35 A 600 V 1MHz, 3 ben, TO-220FL Enkelt
- RS-varenummer:
- 124-3700
- Producentens varenummer:
- RJH60D3DPP-M0#T2
- Brand:
- Renesas Electronics
På lager for afsendelse samme dag
Dag til dag levering ikke mulig
Tilføjet
Pris pr. stk. (Leveres i pakke af 2)
Kr. 28,505
(ekskl. moms)
Kr. 35,631
(inkl. moms)
| Enheder | Pr stk. | Pr pakke* |
| 2 - 2 | Kr. 28,505 | Kr. 57,01 |
| 4 - 8 | Kr. 25,695 | Kr. 51,39 |
| 10 - 48 | Kr. 23,365 | Kr. 46,73 |
| 50 - 98 | Kr. 21,40 | Kr. 42,80 |
| 100 + | Kr. 19,755 | Kr. 39,51 |
- RS-varenummer:
- 124-3700
- Producentens varenummer:
- RJH60D3DPP-M0#T2
- Brand:
- Renesas Electronics
Lovgivning og oprindelsesland
- COO (Country of Origin):
- JP
Generel produktinformation
IGBT-diskrete, Renesas Electronics
IGBT diskrete og moduler
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.
Egenskaber
Attribute | Value |
|---|---|
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. | 35 A |
| Kollektor emitter spænding maks. | 600 V |
| Gate emitter spænding maks. | ±30V |
| Effektafsættelse maks. | 40 W |
| Kapslingstype | TO-220FL |
| Monteringstype | Hulmontering |
| Kanaltype | N |
| Benantal | 3 |
| Switching-hastighed | 1MHz |
| Transistorkonfiguration | Enkelt |
| Dimensioner | 10 x 4.5 x 15mm |
| Driftstemperatur maks. | +150 °C |
| Portkapacitans | 900pF |
- RS-varenummer:
- 124-3700
- Producentens varenummer:
- RJH60D3DPP-M0#T2
- Brand:
- Renesas Electronics