Infineon, IGBT-modul, Type N-Kanal, 400 A 1.2 kV 1 MHz, 5 Ben, 62MM modul Overflade 1

Se alle IGBT

Indhold (1 æske af 10 enheder)*

Kr. 6.753,54

(ekskl. moms)

Kr. 8.441,92

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 06. marts 2028
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr æske*
10 +Kr. 675,354Kr. 6.753,54

*Vejledende pris

RS-varenummer:
124-8791
Producentens varenummer:
FZ400R12KE3B1HOSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

400A

Produkttype

IGBT-modul

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

1.2kV

Effektafsættelse maks. Pd

2.25kW

Antal transistorer

1

Emballagetype

62MM modul

Monteringstype

Overflade

Kanaltype

Type N

Benantal

5

Switching-hastighed

1MHz

Min. driftstemperatur

-40°C

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

2.15V

Portsenderspænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

125°C

Standarder/godkendelser

No

Serie

FZ400R12KE3_B11

Længde

106.4mm

Højde

36.5mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN

IGBT-moduler, Infineon


Infineons serie af IGBT-moduler giver tabsfattigt skift op til 60 KHz.

IGBT'er dækker en række moduler som EconoPACK med kollektor-emitterspænding på 1200 V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper-moduler med NTC op til 1600/1700 V. PrimePACK IGBT'er kan findes i køretøjer til brug i industri, handel, konstruktion og landbrug. N-kanal TRENCHSTOP TM og Fieldstop IGBT-moduler er velegnet til hård og blød kobling f.eks. invertere, UPS og industrielle kredsløb.

Indpakningstyper omfatter: 62 mm moduler EasyPACK, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4

IGBT diskrete halvledere og moduler, Infineon


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links