Infineon, IGBT-modul, Type N-Kanal, 55 A 1.2 kV 1 MHz, 35 Ben, ECONO3 Hulmontering 7

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 584,34

(ekskl. moms)

Kr. 730,42

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder
Per stk.
1 - 4Kr. 584,34
5 +Kr. 569,83

*Vejledende pris

RS-varenummer:
838-6888
Producentens varenummer:
FP40R12KE3GBOSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

55A

Produkttype

IGBT-modul

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

1.2kV

Effektafsættelse maks. Pd

210W

Antal transistorer

7

Emballagetype

ECONO3

Monteringstype

Hulmontering

Kanaltype

Type N

Benantal

35

Switching-hastighed

1MHz

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

2.3V

Portsenderspænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-40°C

Driftstemperatur maks.

125°C

Serie

FP40R12KE3G

Højde

17mm

Standarder/godkendelser

No

Længde

122mm

Bilindustristandarder

Nej

IGBT-moduler, Infineon


Infineons serie af IGBT-moduler giver tabsfattigt skift op til 60 KHz.

IGBT'er dækker en række moduler som EconoPACK med kollektor-emitterspænding på 1200 V, PrimePACK IGBT half-bridge chopper-moduler med NTC op til 1600/1700 V. PrimePACK IGBT'er kan findes i køretøjer til brug i industri, handel, konstruktion og landbrug. N-kanal TRENCHSTOP TM og Fieldstop IGBT-moduler er velegnet til hård og blød kobling f.eks. invertere, UPS og industrielle kredsløb.

Indpakningstyper omfatter: 62 mm moduler EasyPACK, EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4

IGBT diskrete halvledere og moduler, Infineon


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links