STGWT60V60DLF, IGBT, N-Kanal, 60 A 600 V 1MHz, 3 ben, TIL-3P Enkelt

Se alle IGBT
Udgået
RS-varenummer:
145-8649
Producentens varenummer:
STGWT60V60DLF
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kollektorstrøm kontinuerlig maks.

60 A

Kollektor emitter spænding maks.

600 V

Gate emitter spænding maks.

±20V

Effektafsættelse maks.

375 W

Kapslingstype

TIL-3P

Monteringstype

Hulmontering

Kanaltype

N

Benantal

3

Switching-hastighed

1MHz

Transistorkonfiguration

Enkelt

Dimensioner

15.7 x 5.7 x 26.7mm

Driftstemperatur min.

-55 °C

Driftstemperatur maks.

+175 °C

COO (Country of Origin):
KR

IGBT diskrete, ST Microelectronics



IGBT diskrete halvledere og moduler, ST Microelectronics


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links