FGA50N100BNTDTU, IGBT, N-Kanal, 50 A 1000 V 1MHz, 3 ben, TIL-3P Enkelt

Se alle IGBT
Ikke tilgængelig
RS lagerfører ikke længere dette produkt
Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
807-0751P
Producentens varenummer:
FGA50N100BNTDTU
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kollektorstrøm kontinuerlig maks.

50 A

Kollektor emitter spænding maks.

1000 V

Gate emitter spænding maks.

±25V

Effektafsættelse maks.

63 W

Kapslingstype

TIL-3P

Monteringstype

Hulmontering

Kanaltype

N

Benantal

3

Switching-hastighed

1MHz

Transistorkonfiguration

Enkelt

Dimensioner

15.8 x 5 x 20.1mm

Driftstemperatur maks.

+150 °C

Driftstemperatur min.

-55 °C

Diskrete IGBT'er, 1000 V og mere, Fairchild Semiconductor



IGBT diskrete halvledere og moduler, Fairchild Semiconductor


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links