IGW25N120H3FKSA1, IGBT, N-Kanal, 50 A 1200 V 1MHz, 3 ben, TO-247 Enkelt
- RS-varenummer:
- 165-5770
- Producentens varenummer:
- IGW25N120H3FKSA1
- Brand:
- Infineon
Varen er desværre i restordre, forventet afsendelsesdato 11-07-2024
Dag til dag levering ikke mulig
Tilføjet
Pris pr. stk. Pr. stk. (i rør á 30)
Kr. 29,501
(ekskl. moms)
Kr. 36,876
(inkl. moms)
| Enheder | Pr stk. | Per Tube* |
| 30 - 30 | Kr. 29,501 | Kr. 885,03 |
| 60 - 120 | Kr. 28,025 | Kr. 840,75 |
| 150 + | Kr. 26,846 | Kr. 805,38 |
- RS-varenummer:
- 165-5770
- Producentens varenummer:
- IGW25N120H3FKSA1
- Brand:
- Infineon
Lovgivning og oprindelsesland
- COO (Country of Origin):
- CN
Generel produktinformation
Infineon TrenchStop IGBT-transistorer, 1100 til 1600 V
En serie af IGBT-transistorer fra Infineon med mærkespænding for kollektor-emitter fra 1100 til 1600 V med TrenchStop™-teknologi. Serien omfatter enheder med integreret højhastigheds, anti-parallel diode med hurtig gendannelse.
• Spændingsområde for kollektor-emitter 1100 til 1600 V
• Meget lav VCEsat
• Lille tab ved slukning
• Kort efterstrøm
• Lav EMI
• Maksimal junction-temperatur 175 °C
• Meget lav VCEsat
• Lille tab ved slukning
• Kort efterstrøm
• Lav EMI
• Maksimal junction-temperatur 175 °C
IGBT diskrete halvledere og moduler, Infineon
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.
Egenskaber
Attribute | Value |
|---|---|
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. | 50 A |
| Kollektor emitter spænding maks. | 1200 V |
| Gate emitter spænding maks. | ±20V |
| Effektafsættelse maks. | 326 W |
| Kapslingstype | TO-247 |
| Monteringstype | Hulmontering |
| Kanaltype | N |
| Benantal | 3 |
| Switching-hastighed | 1MHz |
| Transistorkonfiguration | Enkelt |
| Dimensioner | 16.13 x 5.21 x 21.1mm |
| Driftstemperatur min. | -40 °C |
| Driftstemperatur maks. | +175 °C |
- RS-varenummer:
- 165-5770
- Producentens varenummer:
- IGW25N120H3FKSA1
- Brand:
- Infineon