IRG4RC10UDPBF, IGBT, N-Kanal, 8,5 A 600 V, 3 ben, DPAK (TO-252) Enkelt

Isolerede bipolære gate-transistorer (IGBT) fra Infineon giver brugeren et omfattende udvalg af muligheder for at sikre, at din anvendelse er dækket ind. Høj virkningsgrad gør det muligt at bruge denne serie af IGBT'er til en lang række anvendelser. Serien kan understøtte forskellige switching-frekvenser takket være lave tab ved omskiftning.

IGBT sampakket med ultrahurtig blød antiparallel genopretningsdiode til brug i brokonfigurationer

IGBT-transistorer, International Rectifier

International Rectifier tilbyder en omfattende IGBT-portefølje (bipolær transistor med isoleret port), der spænder fra 300 V til 1200 V baseret på forskellige teknologier, som minimerer skifte- og ledertab for at øge effektivitet, reducere termiske problemer og forbedre effekttæthed. Firmaet har også et bredt udvalg af IGBT-matricer, der er specielt designet til moduler med middel til høj effekt. Til moduler, der kræver den højest mulige pålidelighed, kan matricer med loddebart frontmetal (solderable front metal - SFM) anvendes til at fjerne forbundne ledere og give mulighed for dobbeltsidet køling til forbedret termisk ydeevne, pålidelighed og effektivitet.