Fairchild Semiconductor AEC-Q101, IGBT, N-Kanal, 21 A 430 V, 3 Ben, TO-263 Overflade
- RS-varenummer:
- 166-2084
- Producentens varenummer:
- ISL9V3040S3ST
- Brand:
- Fairchild Semiconductor
Indhold (1 rulle af 800 enheder)*
Kr. 9.120,00
(ekskl. moms)
Kr. 11.400,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 23. august 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 800 + | Kr. 11,40 | Kr. 9.120,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 166-2084
- Producentens varenummer:
- ISL9V3040S3ST
- Brand:
- Fairchild Semiconductor
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Fairchild Semiconductor | |
| Produkttype | IGBT | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 21A | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 430V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 150W | |
| Emballagetype | TO-263 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Kanaltype | N | |
| Benantal | 3 | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 1.6V | |
| Portsenderspænding maks. | ±10 V | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Serie | EcoSPARK | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Nominel energi | 300mJ | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Fairchild Semiconductor | ||
Produkttype IGBT | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 21A | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 430V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 150W | ||
Emballagetype TO-263 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Kanaltype N | ||
Benantal 3 | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 1.6V | ||
Portsenderspænding maks. ±10 V | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Serie EcoSPARK | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Nominel energi 300mJ | ||
Diskrete IGBT'er, Fairchild Semiconductor
IGBT diskrete halvledere og moduler, Fairchild Semiconductor
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.