onsemi AEC-Q101, Tænding IGBT, Type N-Kanal, 21 A 430 V 1 MHz, 3 Ben, TO-252 Overflade
- RS-varenummer:
- 166-2138
- Producentens varenummer:
- ISL9V3040D3ST
- Brand:
- onsemi
Manglende forsyning
På grund af en global forsyningsmangel ved vi ikke, hvornår dette er på lager igen.
- RS-varenummer:
- 166-2138
- Producentens varenummer:
- ISL9V3040D3ST
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 21A | |
| Produkttype | Tænding IGBT | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 430V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 150W | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Kanaltype | Type N | |
| Benantal | 3 | |
| Switching-hastighed | 1MHz | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 2.2V | |
| Portsenderspænding maks. | ±10 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Serie | EcoSPARK | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Nominel energi | 300mJ | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 21A | ||
Produkttype Tænding IGBT | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 430V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 150W | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Kanaltype Type N | ||
Benantal 3 | ||
Switching-hastighed 1MHz | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 2.2V | ||
Portsenderspænding maks. ±10 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Serie EcoSPARK | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Nominel energi 300mJ | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Diskrete IGBT'er, Fairchild Semiconductor
IGBT diskrete halvledere og moduler, Fairchild Semiconductor
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.
Relaterede links
- onsemi AEC-Q101 Type N-Kanal 3 Ben, TO-252 Overflade
- onsemi AEC-Q101 Type N-Kanal 3 Ben, TO-252 Overflade
- onsemi Type N-Kanal 3 Ben, TO-252 Overflade
- Fairchild Semiconductor AEC-Q101 Type N-Kanal 3 Ben, TO-263 Overflade
- Fairchild Semiconductor AEC-Q101 Type N-Kanal 3 Ben, JEDEC TO-220AB Hulmontering
- STMicroelectronics AEC-Q101 Type N-Kanal 3 Ben, TO-252 Overflade
- STMicroelectronics AEC-Q101 Type N-Kanal 3 Ben, TO-252 Overflade
- onsemi AEC-Q101 Type N-Kanal 3 Ben, TO-247 Hulmontering