STMicroelectronics AEC-Q101, IGBT, Type N-Kanal, 25 A 450 V 8.4 μs, 3 Ben, TO-252 Overflade

Se alle IGBT

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 20.555,00

(ekskl. moms)

Kr. 25.695,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 03. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 +Kr. 8,222Kr. 20.555,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
164-6958
Producentens varenummer:
STGD20N45LZAG
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

IGBT

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

25A

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

450V

Effektafsættelse maks. Pd

150W

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Kanaltype

Type N

Benantal

3

Switching-hastighed

8.4μs

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

1.55V

Portsenderspænding maks.

16 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

2.4mm

Serie

Automotive Grade

Længde

6.6mm

Standarder/godkendelser

AEC-Q101

Nominel energi

300mJ

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Denne anvendelsesspecifikke IGBT benytter den mest avancerede PowerMESH™-teknologi, der er optimeret til at drive spolen i det barske miljø i bilers tændingssystemer. Disse enheder har en meget lav spænding i aktiveret tilstand og kan håndtere meget høj SCIS-energi over et bredt driftstemperaturområde. Desuden betyder ESD-beskyttet gate-indgang på logikniveau og en integreret gate-modstand, ingen eksterne beskyttelseskredsløb er nødvendige.

SCIS-energi på 300 mJ @ TJ = 25 °C

Delene er 100 % afprøvet i SCIS

ESD-gate-emitterbeskyttelse

Gate-kollektor højspændingsdæmpning

Logikniveau gate-drive

Meget lav mætningsspænding

Kan håndtere høj impulsstrøm

Gate- og gate-emitter-modstand

Relaterede links