STMicroelectronics, IGBT, Type N-Kanal, 29 A 600 V 3.8 μs, 3 Ben, TO-220FP Hulmontering

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 96,34

(ekskl. moms)

Kr. 120,42

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 20 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Plus 50 enhed(er) afsendes fra 13. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 40Kr. 9,634Kr. 96,34
50 - 90Kr. 9,372Kr. 93,72
100 - 240Kr. 9,126Kr. 91,26
250 - 490Kr. 8,894Kr. 88,94
500 +Kr. 8,669Kr. 86,69

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
877-2873
Producentens varenummer:
STGF10NB60SD
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

29A

Produkttype

IGBT

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

600V

Effektafsættelse maks. Pd

80W

Emballagetype

TO-220FP

Monteringstype

Hulmontering

Kanaltype

Type N

Benantal

3

Switching-hastighed

3.8μs

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

1.75V

Min. driftstemperatur

-55°C

Portsenderspænding maks.

±20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

10.4mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Længde

30.6mm

Serie

Low Drop

Bilindustristandarder

Nej

Nominel energi

8mJ

COO (Country of Origin):
CN

IGBT diskrete, ST Microelectronics


IGBT diskrete halvledere og moduler, ST Microelectronics


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links