STGF10NB60SD, IGBT, N-Kanal, 23 A 600 V, 3 ben, TO-220FP Enkelt

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 96,34

(ekskl. moms)

Kr. 120,42

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 30 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
10 - 40Kr. 9,634Kr. 96,34
50 - 90Kr. 9,372Kr. 93,72
100 - 240Kr. 9,126Kr. 91,26
250 - 490Kr. 8,894Kr. 88,94
500 +Kr. 8,669Kr. 86,69

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
877-2873
Producentens varenummer:
STGF10NB60SD
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kollektorstrøm kontinuerlig maks.

23 A

Kollektor emitter spænding maks.

600 V

Gate emitter spænding maks.

±20V

Effektafsættelse maks.

25 W

Kapslingstype

TO-220FP

Monteringstype

Hulmontering

Kanaltype

N

Benantal

3

Transistorkonfiguration

Enkelt

Dimensioner

10.4 x 4.6 x 20mm

Portkapacitans

610pF

Driftstemperatur maks.

+150 °C

Nominel energi

8mJ

Driftstemperatur min.

-55 °C

COO (Country of Origin):
CN

IGBT diskrete, ST Microelectronics



IGBT diskrete halvledere og moduler, ST Microelectronics


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links