STMicroelectronics, IGBT, Type N-Kanal, 29 A 600 V 3.8 μs, 3 Ben, TO-220FP Hulmontering
- RS-varenummer:
- 168-8877
- Producentens varenummer:
- STGF10NB60SD
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rør af 50 enheder)*
Kr. 429,00
(ekskl. moms)
Kr. 536,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 50 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 8,58 | Kr. 429,00 |
| 100 - 200 | Kr. 8,473 | Kr. 423,65 |
| 250 + | Kr. 8,369 | Kr. 418,45 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 168-8877
- Producentens varenummer:
- STGF10NB60SD
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 29A | |
| Produkttype | IGBT | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 600V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 80W | |
| Emballagetype | TO-220FP | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Kanaltype | Type N | |
| Benantal | 3 | |
| Switching-hastighed | 3.8μs | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 1.75V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portsenderspænding maks. | ±20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 30.6mm | |
| Højde | 10.4mm | |
| Serie | Low Drop | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Nominel energi | 8mJ | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 29A | ||
Produkttype IGBT | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 600V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 80W | ||
Emballagetype TO-220FP | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Kanaltype Type N | ||
Benantal 3 | ||
Switching-hastighed 3.8μs | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 1.75V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portsenderspænding maks. ±20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 30.6mm | ||
Højde 10.4mm | ||
Serie Low Drop | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Nominel energi 8mJ | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
IGBT diskrete, ST Microelectronics
IGBT diskrete halvledere og moduler, ST Microelectronics
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 3 Ben, TO-220FP Hulmontering
- STMicroelectronics Type N-Kanal 3 Ben, TO-220FP Hulmontering
- STMicroelectronics Type N-Kanal 3 Ben, TO-247 Hulmontering
- STMicroelectronics Type N-Kanal 3 Ben, TO-220FP Hulmontering
- STMicroelectronics 3 Ben
- STMicroelectronics Type N-Kanal 3 Ben, TO-263 Overflade
- STMicroelectronics N-Kanal 6 A 600 V TO-220FP SuperMESH STP6NK60ZFP
- STMicroelectronics Type N-Kanal 11 A 600 V Forbedring TO-220FP, MDmesh