STMicroelectronics, IGBT, N-Kanal, 40 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-220FP Hulmontering

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 85,27

(ekskl. moms)

Kr. 106,59

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 45 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 17,054Kr. 85,27
50 - 245Kr. 15,004Kr. 75,02
250 - 495Kr. 13,404Kr. 67,02
500 +Kr. 11,504Kr. 57,52

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
204-9872
Producentens varenummer:
STGF20H65DFB2
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

40A

Produkttype

IGBT

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

650V

Effektafsættelse maks. Pd

45W

Emballagetype

TO-220FP

Monteringstype

Hulmontering

Kanaltype

N

Benantal

3

Switching-hastighed

1MHz

Portsenderspænding maks.

20 V

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

2.1V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

10.4mm

Højde

4.6mm

Serie

STG

Standarder/godkendelser

RoHS

Bredde

16.4mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 serien repræsenterer en udvikling af Advanced proprietære Trench gate feltstop struktur. HB2-seriens ydeevne er optimeret med hensyn til overledning, takket være en bedre VCE(sat) adfærd ved lave strømværdier samt med hensyn til reduceret switching-energi.

Maksimal samledstemperatur: TJ = 175 °C.

Lav VCE(sat) = 1,65 V (typ.) @ IC = 20 A.

Meget hurtig og blød genindvindingsdiode

Minimeret halestrøm

Stram parameterfordeling

Lav termisk modstand

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.