STGWA30H65DFB2, IGBT, 50 A 650 V, 3 ben, TO-247 1

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 30 enheder)*

Kr. 448,44

(ekskl. moms)

Kr. 560,55

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 630 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
30 - 90Kr. 14,948Kr. 448,44
120 - 270Kr. 13,766Kr. 412,98
300 - 570Kr. 13,404Kr. 402,12
600 - 1170Kr. 13,06Kr. 391,80
1200 +Kr. 12,733Kr. 381,99

*Vejledende pris

RS-varenummer:
204-9877
Producentens varenummer:
STGWA30H65DFB2
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kollektorstrøm kontinuerlig maks.

50 A

Kollektor emitter spænding maks.

650 V

Gate emitter spænding maks.

±20V

Antal transistorer

1

Effektafsættelse maks.

167 W

Kapslingstype

TO-247

Benantal

3

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 serien repræsenterer en udvikling af Advanced proprietære Trench gate feltstop struktur. HB2-seriens ydeevne er optimeret med hensyn til overledning, takket være en bedre VCE(sat) adfærd ved lave strømværdier samt med hensyn til reduceret switching-energi.

Maksimal samledstemperatur: TJ = 175 °C.
Lav VCE(sat) = 1,65 V (typ.) @ IC = 30 A.
Meget hurtig og blød genindvindingsdiode
Minimeret halestrøm
Stram parameterfordeling
Lav termisk modstand

Relaterede links