STGWA30H65DFB2, IGBT, 50 A 650 V, 3 ben, TO-247 1

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 30 enheder)*

Kr. 448,44

(ekskl. moms)

Kr. 560,55

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 630 enhed(er) afsendes fra 29. december 2025
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
30 - 90Kr. 14,948Kr. 448,44
120 - 270Kr. 13,766Kr. 412,98
300 - 570Kr. 13,404Kr. 402,12
600 - 1170Kr. 13,06Kr. 391,80
1200 +Kr. 12,733Kr. 381,99

*Vejledende pris

RS-varenummer:
204-9877
Producentens varenummer:
STGWA30H65DFB2
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kollektorstrøm kontinuerlig maks.

50 A

Kollektor emitter spænding maks.

650 V

Gate emitter spænding maks.

±20V

Effektafsættelse maks.

167 W

Antal transistorer

1

Kapslingstype

TO-247

Benantal

3

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics IGBT 650 V HB2 serien repræsenterer en udvikling af Advanced proprietære Trench gate feltstop struktur. HB2-seriens ydeevne er optimeret med hensyn til overledning, takket være en bedre VCE(sat) adfærd ved lave strømværdier samt med hensyn til reduceret switching-energi.

Maksimal samledstemperatur: TJ = 175 °C.
Lav VCE(sat) = 1,65 V (typ.) @ IC = 30 A.
Meget hurtig og blød genindvindingsdiode
Minimeret halestrøm
Stram parameterfordeling
Lav termisk modstand

Relaterede links