STMicroelectronics, IGBT, Type N-Kanal, 115 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Hulmontering

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 65,67

(ekskl. moms)

Kr. 82,088

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 20 enhed(er) afsendes fra 06. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 8Kr. 32,835Kr. 65,67
10 +Kr. 28,05Kr. 56,10

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
206-7212
Producentens varenummer:
STGWA75H65DFB2
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

115A

Produkttype

IGBT

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

650V

Effektafsættelse maks. Pd

357W

Emballagetype

TO-247

Monteringstype

Hulmontering

Kanaltype

Type N

Benantal

3

Switching-hastighed

1MHz

Portsenderspænding maks.

20 V

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

2V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

15.9mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Serie

STG

Højde

5.1mm

Bilindustristandarder

Nej

STMicroelectronics Trench gate feltstop, 650 V, 75 A, højhastigheds HB2 serie IGBT i to-247 hus med lange ledninger.

Maksimal samledstemperatur: TJ = 175 °C.

Lav VCE(sat) = 1,55 V (typ.) VED IC = 75 A.

Meget hurtig og blød genindvindingsdiode

Minimeret halestrøm

Stram parameterfordeling

Lav termisk modstand

Positiv VCE(sat) temperaturkoefficient

Relaterede links