STMicroelectronics, IGBT, Type N-Kanal, 30 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Hulmontering
- RS-varenummer:
- 202-5515
- Producentens varenummer:
- STGWA30HP65FB
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 112,50
(ekskl. moms)
Kr. 140,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 10 enhed(er) afsendes fra 18. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | Kr. 22,50 | Kr. 112,50 |
| 10 + | Kr. 19,118 | Kr. 95,59 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 202-5515
- Producentens varenummer:
- STGWA30HP65FB
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | IGBT | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 30A | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 650V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 260W | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Kanaltype | Type N | |
| Benantal | 3 | |
| Switching-hastighed | 1MHz | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 2V | |
| Portsenderspænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 5.1mm | |
| Serie | STG | |
| Længde | 15.9mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype IGBT | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 30A | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 650V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 260W | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Kanaltype Type N | ||
Benantal 3 | ||
Switching-hastighed 1MHz | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 2V | ||
Portsenderspænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 5.1mm | ||
Serie STG | ||
Længde 15.9mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
STMicroelectronics højhastigheds HB serie IGBT udviklet ved hjælp af en Advanced propried rende gate fieldstop struktur. Enheden er en del af den nye HB-serie af IGBT'er, som repræsenterer et optimalt kompromis mellem lednings- og skiftetab for at maksimere effektiviteten af enhver frekvensomformer.
Lav termisk modstand
Meget hurtig antiparallel diode med blød genindvinding