STMicroelectronics, IGBT, N-Kanal, 40 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Hulmontering

Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 112,20

(ekskl. moms)

Kr. 140,25

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 22,44Kr. 112,20
50 - 120Kr. 20,45Kr. 102,25
125 +Kr. 17,04Kr. 85,20

*Vejledende pris

RS-varenummer:
206-7210
Producentens varenummer:
STGWA20H65DFB2
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

40A

Produkttype

IGBT

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

650V

Effektafsættelse maks. Pd

147W

Emballagetype

TO-247

Monteringstype

Hulmontering

Kanaltype

N

Benantal

3

Switching-hastighed

1MHz

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

2.1V

Min. driftstemperatur

-55°C

Portsenderspænding maks.

±20 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Serie

Trench Gate Field Stop

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

STMicroelectronics Trench gate feltstop, 650 V, 20 A, højhastigheds HB2 serie IGBT i to-247 hus med lange ledninger.

Maksimal samledstemperatur: TJ = 175 °C.

Lav VCE(sat) = 1,65 V (typ.) @ IC = 20 A.

Meget hurtig og blød genindvindingsdiode

Minimeret halestrøm

Stram parameterfordeling

Lav termisk modstand

Positiv VCE(sat) temperaturkoefficient

Relaterede links