STMicroelectronics, IGBT, Type N-Kanal, 30 A 650 V 1 MHz, 3 Ben, TO-247 Hulmontering
- RS-varenummer:
- 202-5514
- Producentens varenummer:
- STGWA30HP65FB
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rør af 30 enheder)*
Kr. 499,08
(ekskl. moms)
Kr. 623,85
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | Kr. 16,636 | Kr. 499,08 |
| 60 + | Kr. 15,803 | Kr. 474,09 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 202-5514
- Producentens varenummer:
- STGWA30HP65FB
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 30A | |
| Produkttype | IGBT | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 650V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 260W | |
| Emballagetype | TO-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Kanaltype | Type N | |
| Benantal | 3 | |
| Switching-hastighed | 1MHz | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portsenderspænding maks. | 20 V | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 15.9mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Serie | STG | |
| Højde | 5.1mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 30A | ||
Produkttype IGBT | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 650V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 260W | ||
Emballagetype TO-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Kanaltype Type N | ||
Benantal 3 | ||
Switching-hastighed 1MHz | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portsenderspænding maks. 20 V | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 15.9mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Serie STG | ||
Højde 5.1mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
STMicroelectronics højhastigheds HB serie IGBT udviklet ved hjælp af en Advanced propried rende gate fieldstop struktur. Enheden er en del af den nye HB-serie af IGBT'er, som repræsenterer et optimalt kompromis mellem lednings- og skiftetab for at maksimere effektiviteten af enhver frekvensomformer.
Lav termisk modstand
Meget hurtig antiparallel diode med blød genindvinding