STGWA75H65DFB2, IGBT, 115 A 650 V, 3 ben, TO-247 1 Enkelt

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 30 enheder)*

Kr. 794,61

(ekskl. moms)

Kr. 993,27

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 04. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
30 - 90Kr. 26,487Kr. 794,61
120 - 240Kr. 25,771Kr. 773,13
270 - 480Kr. 25,083Kr. 752,49
510 - 990Kr. 24,447Kr. 733,41
1020 +Kr. 23,839Kr. 715,17

*Vejledende pris

RS-varenummer:
206-7211
Producentens varenummer:
STGWA75H65DFB2
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kollektorstrøm kontinuerlig maks.

115 A

Kollektor emitter spænding maks.

650 V

Gate emitter spænding maks.

±20V

Antal transistorer

1

Effektafsættelse maks.

357 W

Kapslingstype

TO-247

Benantal

3

Transistorkonfiguration

Enkelt

STMicroelectronics Trench gate feltstop, 650 V, 75 A, højhastigheds HB2 serie IGBT i to-247 hus med lange ledninger.

Maksimal samledstemperatur: TJ = 175 °C.
Lav VCE(sat) = 1,55 V (typ.) VED IC = 75 A.
Meget hurtig og blød genindvindingsdiode
Minimeret halestrøm
Stram parameterfordeling
Lav termisk modstand
Positiv VCE(sat) temperaturkoefficient

Relaterede links