STMicroelectronics, IGBT, Type N-Kanal, 7 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-220FP Hulmontering

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 55,65

(ekskl. moms)

Kr. 69,55

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 10 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
  • Plus 20 enhed(er) afsendes fra 14. april 2026
  • Plus 50 enhed(er) afsendes fra 08. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 20Kr. 11,13Kr. 55,65
25 - 45Kr. 10,576Kr. 52,88
50 - 120Kr. 9,514Kr. 47,57
125 - 245Kr. 8,588Kr. 42,94
250 +Kr. 8,138Kr. 40,69

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
795-8981
Producentens varenummer:
STGF6NC60HD
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

IGBT

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

7A

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

600V

Effektafsættelse maks. Pd

56W

Emballagetype

TO-220FP

Monteringstype

Hulmontering

Kanaltype

Type N

Benantal

3

Switching-hastighed

1MHz

Portsenderspænding maks.

20 V

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

2.5V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

16.4mm

Længde

10.4mm

Serie

Powermesh

Standarder/godkendelser

JEDEC JESD97

Bilindustristandarder

Nej

IGBT diskrete, ST Microelectronics


IGBT diskrete halvledere og moduler, ST Microelectronics


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links