STMicroelectronics, IGBT, Type N-Kanal, 10 A 600 V 1 MHz, 3 Ben, TO-220 Hulmontering

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 50 enheder)*

Kr. 306,10

(ekskl. moms)

Kr. 382,60

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 50 enhed(er) afsendes fra 08. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
50 - 50Kr. 6,122Kr. 306,10
100 - 200Kr. 5,816Kr. 290,80
250 - 450Kr. 5,51Kr. 275,50
500 - 700Kr. 5,205Kr. 260,25
750 +Kr. 4,898Kr. 244,90

*Vejledende pris

RS-varenummer:
168-8940
Producentens varenummer:
STGP5H60DF
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

10A

Produkttype

IGBT

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

600V

Effektafsættelse maks. Pd

88W

Emballagetype

TO-220

Monteringstype

Hulmontering

Kanaltype

Type N

Benantal

3

Switching-hastighed

1MHz

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

1.95V

Portsenderspænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Serie

Trench Gate Field Stop

Længde

10.4mm

Højde

9.15mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Nominel energi

221mJ

COO (Country of Origin):
CN

IGBT diskrete, ST Microelectronics


IGBT diskrete halvledere og moduler, ST Microelectronics


IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) enheden er en halvlederenhed med 3 terminaler, der udmærker sig ved høj effektivitet og hurtigt omskiftning. IGBT kombinerer de enkle gate-drive egenskaber, der karakteriserer MOSFET'er, med den bipolære transistorers kapacitet til høj strømstyrke og lav–mættet spænding ved at kombinere en isoleret gate FET til styreindgang og en bipolær effekttransistor som omskifter i samme enhed.

Relaterede links