SIHG47N60EF-GE3, IGBT

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 25 enheder)*

Kr. 1.123,425

(ekskl. moms)

Kr. 1.404,275

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Udgår
  • Sidste 25 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr rør*
25 - 25Kr. 44,937Kr. 1.123,43
50 - 100Kr. 40,443Kr. 1.011,08
125 +Kr. 35,949Kr. 898,73

*Vejledende pris

RS-varenummer:
180-7344
Producentens varenummer:
SIHG47N60EF-GE3
Brand:
Vishay
COO (Country of Origin):
CN

Vishay MOSFET


Vishay N-kanal TO-247AC-3 MOSFET til hulmontering er et nyt produkt i alderen med en drænkildespænding på 600 V og en maksimal gate-kildespænding på 30 V. Den har en drænkildemodstand på 65 mohm ved en gate-source spænding på 10 V. Den har et maksimalt effekttab på 379 W og kontinuerlig drænstrøm på 47 A. Den har en drivspænding på 10 V. Dette produkt er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.

Egenskaber og fordele


• hurtig husdiode MOSFET ved hjælp af E-serie teknologi
• Halogenfri
• øget robusthed pga. lav Qrr
• lav figure-of-Merit (FOM) Ron x QG
• lav indgangskapacitet (CISS)
Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.
• reduceret trr, Qrr og IRRM
• meget lav gate-opladning (QG)

Anvendelsesområder


• lysdioder (lysdioder)
• 3-niveau invertere
• AC/DC-broer
• ATX strømforsyninger
• højintensitetslys (HID)
• LLC
• fase skiftede broer (ZVS)
• effektfaktorkorrektions-strømforsyninger (PFC)
• strømforsyninger til server og telekommunikation
• solcelle PV-invertere

Certifikater


• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• UIS-testet

Relaterede links