Vishay N-Kanal, MOSFET, 21 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-247AC, SIHG
- RS-varenummer:
- 279-9912
- Producentens varenummer:
- SIHG155N60EF-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 73,23
(ekskl. moms)
Kr. 91,54
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 464 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 2 | Kr. 36,615 | Kr. 73,23 |
| 4 - 8 | Kr. 35,905 | Kr. 71,81 |
| 10 - 28 | Kr. 35,155 | Kr. 70,31 |
| 30 - 98 | Kr. 34,41 | Kr. 68,82 |
| 100 + | Kr. 33,175 | Kr. 66,35 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 279-9912
- Producentens varenummer:
- SIHG155N60EF-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 21A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Emballagetype | TO-247AC | |
| Serie | SIHG | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.159Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 179W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 38nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Længde | 15.7mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 21A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Emballagetype TO-247AC | ||
Serie SIHG | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.159Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 179W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 38nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Længde 15.7mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay SIHG seriens MOSFET, 600 V maksimal drain-kildespænding, 21 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SIHG155N60EF-GE3
Denne MOSFET er en højspændingstransistor, der er designet til strømkonvertering og styring i krævende elektroniske systemer. Den fungerer som en N-kanalforbedringsenhed, der er beregnet til montering gennem hul i en TO-247AC-pakke, og giver robust elektrisk ydeevne over et bredt temperaturområde til industrielle og laboratoriemiljøer.
Egenskaber og fordele:
• 600 V drain-klassificering muliggør højspændingskoblingsanvendelser
• 21 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter betydelig belastning
• 0.159 Ω lav Rds(on) reducerer ledningstab
• 179 W effekttab muliggør drift med høj effekt
• 38 nC typisk gate-ladning forbedrer skiftehastighedsstyring
• 30 V gate-source-grænse sikrer kompatibilitet med almindelige drivspændinger
• 21 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter betydelig belastning
• 0.159 Ω lav Rds(on) reducerer ledningstab
• 179 W effekttab muliggør drift med høj effekt
• 38 nC typisk gate-ladning forbedrer skiftehastighedsstyring
• 30 V gate-source-grænse sikrer kompatibilitet med almindelige drivspændinger
Anvendelser
• Velegnet til switch-mode strømforsyninger i industrielt udstyr
• Ideel til højspændingsmotordrev og invertere
• Anvendes til effektfaktorkorrigeringsmoduler i store systemer
• Kan bruges til koblingstrin med lydforstærkning med høj effekt
• Velegnet til prototypefremstilling af laboratorieelektronik
• Ideel til højspændingsmotordrev og invertere
• Anvendes til effektfaktorkorrigeringsmoduler i store systemer
• Kan bruges til koblingstrin med lydforstærkning med høj effekt
• Velegnet til prototypefremstilling af laboratorieelektronik
Hvilket temperaturområde kan den modstå under drift?
Den fungerer mellem -55 °C og 150 °C, hvilket understøtter brug i både lavtemperaturtest og høje termiske forhold.
Hvordan monteres og tilsluttes den på hardware?
Enheden leveres i en TO-247AC-pakke med gennemgående hul med tre ben til standard printkort- eller kølepladetilslutning.
Hvilken type kanal og ledningstilstand anvender den?
Den bruger en N-type kanal, der fungerer i forstærkning, hvilket kræver et positivt gate-drev til at føre.
Er der specifikke godkendelsesstandarder for denne komponent?
Den er i overensstemmelse med RoHS-kravene, hvilket angiver begrænsning af visse farlige stoffer.
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 21 A 600 V Forbedring TO-247AC, SIHG
- Vishay N-Kanal 22 A 650 V Forbedring TO-247AC, SIHG
- Vishay N-Kanal 21 A 600 V Forbedring JEDEC TO-220AB, SIHP
- Vishay N-Kanal 21 A 600 V Forbedring TO-263, EF
- Vishay N-Kanal 30 A 500 V Forbedring TO-247AC, SiHG32N50D
- Vishay N-Kanal 16 A 600 V Forbedring TO-247AC, IRFP
- Vishay N-Kanal 34 A 650 V Forbedring TO-247AC, EF
- Vishay N-Kanal 25 A 400 V Forbedring TO-247AC, D Series
