Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 21 A 600 V Forbedring, 3 Ben, TO-247AC, SIHG Nej SIHG155N60EF-GE3
- RS-varenummer:
- 279-9912
- Producentens varenummer:
- SIHG155N60EF-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 74,73
(ekskl. moms)
Kr. 93,412
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 470 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 2 | Kr. 37,365 | Kr. 74,73 |
| 4 - 8 | Kr. 36,615 | Kr. 73,23 |
| 10 - 28 | Kr. 35,83 | Kr. 71,66 |
| 30 - 98 | Kr. 35,08 | Kr. 70,16 |
| 100 + | Kr. 33,81 | Kr. 67,62 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 279-9912
- Producentens varenummer:
- SIHG155N60EF-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 21A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 600V | |
| Serie | SIHG | |
| Emballagetype | TO-247AC | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.159Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | ±30 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 179W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 38nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 15.7mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 21A | ||
Drain source spænding maks. Vds 600V | ||
Serie SIHG | ||
Emballagetype TO-247AC | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.159Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. ±30 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 179W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 38nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 15.7mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay MOSFET er en E-serien effekt MOSFET med Fast Body-diode, og transistoren i den er fremstillet af materiale kendt som silicium.
4. generation af E-seriens teknologi
Lav fortjeneste (FOM) Ron x Qg
Lav effektiv kapacitet
Avalanche-energimærke
Reduceret skifte- og ledningstab
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 21 A 600 V Forbedring TO-247AC, SIHG Nej SIHG155N60EF-GE3
- Vishay Type N-Kanal 22 A 650 V Forbedring TO-247AC, SIHG Nej SIHG150N60E-GE3
- Vishay Type N-Kanal 34 A 650 V Forbedring TO-247AC, SIHG Nej SIHG085N60EF-GE3
- Vishay Type N-Kanal 34 A 650 V Forbedring TO-247AC, SIHG Nej
- Vishay Type N-Kanal 21 A 600 V Forbedring JEDEC TO-220AB, SIHP Nej SIHP155N60EF-GE3
- Vishay Type N-Kanal 25 A 400 V Forbedring TO-247AC Nej SIHG25N40D-GE3
- Vishay Type N-Kanal 30 A 500 V Forbedring TO-247AC, SiHG32N50D Nej SiHG32N50D-GE3
- Vishay Type N-Kanal 16 A 600 V Forbedring TO-247AC, IRFP Nej
