SIA456DJ-T1-GE3, IGBT
- RS-varenummer:
- 180-7793P
- Producentens varenummer:
- SIA456DJ-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold 100 enheder (leveres på en sammenhængende strimmel)*
Kr. 484,00
(ekskl. moms)
Kr. 605,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 1.120 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 100 - 240 | Kr. 4,84 |
| 250 - 490 | Kr. 4,069 |
| 500 - 990 | Kr. 3,815 |
| 1000 + | Kr. 3,306 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 180-7793P
- Producentens varenummer:
- SIA456DJ-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay overflademonteret N-kanal SC-70-6 MOSFET er et nyt produkt med en drænkildespænding på 200 V og en maksimal gate-source spænding på 16 V. Den har en drænkildemodstand på 1380 mohm ved en gate-source spænding på 4,5 V. Den har et maksimalt effekttab på 19 W og kontinuerlig drænstrøm på 2,6 A. Den har en min. og en maks. driftsspænding på henholdsvis 1,8 V og 4,5 V. Den har en funktion i boost-konverter til bærbare enheder. Dette produkt er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.
Egenskaber og fordele
• Halogenfri
• lav ON-modstand
• Nyt termisk forbedret PowerPAK SC-70 hus - lille flademål
Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.
• TrenchFET Power MOSFET
• lav ON-modstand
• Nyt termisk forbedret PowerPAK SC-70 hus - lille flademål
Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.
• TrenchFET Power MOSFET
Certifikater
• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• BS EN 61340-5-1:2007