AIKW50N60CTXKSA1, IGBT, 80 A 600 V, 3 ben, PG-TO263-3
- RS-varenummer:
- 215-6619
- Producentens varenummer:
- AIKW50N60CTXKSA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rør af 30 enheder)*
Kr. 844,47
(ekskl. moms)
Kr. 1.055,58
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 1.140 enhed(er) afsendes fra 29. december 2025
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 30 + | Kr. 28,149 | Kr. 844,47 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 215-6619
- Producentens varenummer:
- AIKW50N60CTXKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. | 80 A | |
| Kollektor emitter spænding maks. | 600 V | |
| Gate emitter spænding maks. | ±20V | |
| Effektafsættelse maks. | 250 W | |
| Kapslingstype | PG-TO263-3 | |
| Benantal | 3 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. 80 A | ||
Kollektor emitter spænding maks. 600 V | ||
Gate emitter spænding maks. ±20V | ||
Effektafsættelse maks. 250 W | ||
Kapslingstype PG-TO263-3 | ||
Benantal 3 | ||
Infineon fieldstop-teknologi isoleret gate bipolær transistor med blød hurtig recovery anti-parallel emitter-styret diode.
Højeffektiv
Lavt koblingstab
Øget pålidelighed
Lav elektromagnetisk interferens
Lavt koblingstab
Øget pålidelighed
Lav elektromagnetisk interferens
Relaterede links
- AIKW50N60CTXKSA1 80 A 600 V PG-TO263-3
- IGB15N60TATMA1 26 A 600 V PG-TO263-3
- IGB50N60TATMA1 90 A 600 V PG-TO263-3
- IKB20N60TATMA1 41 A 600 V PG-TO263-3 1
- IKB20N60H3ATMA1 40 A 600 V PG-TO263-3 1
- IGB30N60H3ATMA1 60 A 600 V PG-TO263-3 1
- IGB50N65S5ATMA1 N-Kanal 3 ben, PG-TO263 1 Enkelt
- AIKW75N60CTXKSA1 80 A 600 V PG-TO247-3