Infineon, IGBT, 20 A 650 V, TO-220
- RS-varenummer:
- 242-0978
- Producentens varenummer:
- IGP20N65H5XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 16,53
(ekskl. moms)
Kr. 20,662
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 264 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 8,265 | Kr. 16,53 |
| 10 - 98 | Kr. 7,815 | Kr. 15,63 |
| 100 - 248 | Kr. 7,445 | Kr. 14,89 |
| 250 - 498 | Kr. 7,105 | Kr. 14,21 |
| 500 + | Kr. 6,77 | Kr. 13,54 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 242-0978
- Producentens varenummer:
- IGP20N65H5XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | IGBT | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 20A | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 650V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 1.65V | |
| Portsenderspænding maks. | ±20 ±30 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Bredde | 10.36 mm | |
| Længde | 29.95mm | |
| Serie | High Speed Fifth Generation | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC | |
| Højde | 4.57mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype IGBT | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 20A | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 650V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 1.65V | ||
Portsenderspænding maks. ±20 ±30 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Bredde 10.36 mm | ||
Længde 29.95mm | ||
Serie High Speed Fifth Generation | ||
Standarder/godkendelser JEDEC | ||
Højde 4.57mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon IGBT trasistor har en gennembrudsspænding på 650 V. transistorens maksimale junction-temperatur er 175 grader C.
Klassens bedste effektivitet inden for hård kobling og resonante topologier
Plug-and-play-erstatning af tidligere IGBT'er
Kan anvendes i solcellesystemer, nødstrømsforsyninger, svejsekonvertere
Mellem- og højfrekvente konvertere til skift mellem og højt område