Infineon, IC til IGBT-enkelt transistor, 28 A 650 V, TO-220
- RS-varenummer:
- 242-0980
- Producentens varenummer:
- IKP28N65ES5XKSA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 42,34
(ekskl. moms)
Kr. 52,92
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 466 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 21,17 | Kr. 42,34 |
| 20 - 48 | Kr. 19,075 | Kr. 38,15 |
| 50 - 98 | Kr. 17,765 | Kr. 35,53 |
| 100 - 198 | Kr. 16,53 | Kr. 33,06 |
| 200 + | Kr. 15,26 | Kr. 30,52 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 242-0980
- Producentens varenummer:
- IKP28N65ES5XKSA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic | 28A | |
| Produkttype | IC til IGBT-enkelt transistor | |
| Kollektor emitter spænding maks. Vceo | 650V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 130W | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Min. driftstemperatur | -40°C | |
| Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT | 1.9V | |
| Portsenderspænding maks. | ±20 ±30 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | JEDEC47/20/22 | |
| Serie | 5th Generation | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic 28A | ||
Produkttype IC til IGBT-enkelt transistor | ||
Kollektor emitter spænding maks. Vceo 650V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 130W | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Min. driftstemperatur -40°C | ||
Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT 1.9V | ||
Portsenderspænding maks. ±20 ±30 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser JEDEC47/20/22 | ||
Serie 5th Generation | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 650 V, 28 A IGBT med anti-parallel diode i TO-220 hus. Den har høj strømtæthed, høj effektivitet, hurtigere time-to-market-cyklusser, reduktion af kompleksiteten af kredsløbsdesign og PCB-omkostningsoptimering.
Hurtig og jævn skifteenhed til hård og blød omskiftning
Maks. 175 oC for samledstemperatur
Intet behov for portklemmekomponenter
Relaterede links
- Infineon 28 A 650 V, TO-220
- Infineon Type N-Kanal 3 Ben, TO-220 Hulmontering
- Infineon 75 A 650 V PG-TO-247
- Infineon AEC-Q101 74 A 650 V TO-247 Hulmontering
- Infineon AEC-Q101 80 A 650 V TO-247 Hulmontering
- Infineon Type N-Kanal 3 Ben, TO-263 Overflade
- Infineon Type N-Kanal 3 Ben, TO-263 Overflade
- Infineon Type N-Kanal 3 Ben, TO-247 Hulmontering
