IKA10N65ET6XKSA2, IGBT, N-Kanal, 25 A 650 V, 3 ben, PG-TO220 1 Enkelt

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 10 enheder)*

Kr. 63,79

(ekskl. moms)

Kr. 79,74

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 390 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Pr stk.
Pr pakke*
10 - 40Kr. 6,379Kr. 63,79
50 - 90Kr. 6,059Kr. 60,59
100 - 240Kr. 5,932Kr. 59,32
250 - 490Kr. 5,55Kr. 55,50
500 +Kr. 5,169Kr. 51,69

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
226-6080
Producentens varenummer:
IKA10N65ET6XKSA2
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kollektorstrøm kontinuerlig maks.

25 A

Kollektor emitter spænding maks.

650 V

Gate emitter spænding maks.

30V

Effektafsættelse maks.

32,5 W

Antal transistorer

1

Konfiguration

Single

Kapslingstype

PG-TO220

Kanaltype

N

Benantal

3

Transistorkonfiguration

Enkelt

Infineon IKA10N65ET6 har god termisk ydelse, især ved højere frekvenser og øget designmargin og pålidelighed. Den er meget blød, hurtigtvirkende anti-parallel Rapid diode.

Meget lav VCE(sat) 1,5 V (typ.)
Maks. samledstemperatur 175 °C.
Lav gate-chargeQG
Blyfri blyplatingRoHS-kompatibel

Relaterede links