Infineon, IC til IGBT-enkelt transistor, Type N-Kanal, 30 A 650 V, 3 Ben, TO-263 Overflade

Se alle IGBT

Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*

Kr. 6.973,00

(ekskl. moms)

Kr. 8.716,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 24. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
1000 +Kr. 6,973Kr. 6.973,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
215-6647
Producentens varenummer:
IKB15N65EH5ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

IC til IGBT-enkelt transistor

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

30A

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

650V

Effektafsættelse maks. Pd

105W

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Kanaltype

Type N

Benantal

3

Portsenderspænding maks.

±30 V

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

1.65V

Min. driftstemperatur

-40°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

JEDEC47/20/22

Serie

High Speed Fifth Generation

Bilindustristandarder

Nej

Infineon switch-switch med høj hastighed isoleret gate, bipolær transistor, der er coppakket med fuld mærkestrøm, Rapid 1 antiparallel diode har også 650 v gennemslagsspænding.

Højeffektiv

Lavt koblingstab

Øget pålidelighed

Lav elektromagnetisk interferens

Relaterede links