Infineon, IC til IGBT-enkelt transistor, Type N-Kanal, 30 A 650 V, 3 Ben, TO-263 Overflade

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 95,59

(ekskl. moms)

Kr. 119,49

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 920 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 20Kr. 19,118Kr. 95,59
25 - 45Kr. 17,218Kr. 86,09
50 - 120Kr. 16,068Kr. 80,34
125 - 245Kr. 14,916Kr. 74,58
250 +Kr. 13,764Kr. 68,82

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
215-6648
Producentens varenummer:
IKB15N65EH5ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

IC til IGBT-enkelt transistor

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

30A

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

650V

Effektafsættelse maks. Pd

105W

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Kanaltype

Type N

Benantal

3

Min. driftstemperatur

-40°C

Portsenderspænding maks.

±30 V

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

1.65V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

JEDEC47/20/22

Serie

High Speed Fifth Generation

Bilindustristandarder

Nej

Infineon switch-switch med høj hastighed isoleret gate, bipolær transistor, der er coppakket med fuld mærkestrøm, Rapid 1 antiparallel diode har også 650 v gennemslagsspænding.

Højeffektiv

Lavt koblingstab

Øget pålidelighed

Lav elektromagnetisk interferens

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.