Infineon, IC til IGBT-enkelt transistor, Type N-Kanal, 79 A 650 V, 3 Ben, TO-263 Overflade

Se alle IGBT

Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*

Kr. 9.684,00

(ekskl. moms)

Kr. 12.105,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 4.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
1000 +Kr. 9,684Kr. 9.684,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
215-6654
Producentens varenummer:
IKB40N65ES5ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

79A

Produkttype

IC til IGBT-enkelt transistor

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

650V

Effektafsættelse maks. Pd

230W

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Kanaltype

Type N

Benantal

3

Min. driftstemperatur

-40°C

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

1.35V

Portsenderspænding maks.

±30 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Serie

High Speed Fifth Generation

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Infineon højhastigheds switching-serie femtegenerations isoleret gate bipolær transistor.

Højeffektiv

Lavt koblingstab

Øget pålidelighed

Lav elektromagnetisk interferens

Relaterede links