IKB40N65ES5ATMA1, IGBT, 79 A 650 V, 3 ben, PG-TO263-3
- RS-varenummer:
- 215-6654
- Producentens varenummer:
- IKB40N65ES5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*
Kr. 9.684,00
(ekskl. moms)
Kr. 12.105,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 4.000 enhed(er) afsendes fra 29. december 2025
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | Kr. 9,684 | Kr. 9.684,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 215-6654
- Producentens varenummer:
- IKB40N65ES5ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. | 79 A | |
| Kollektor emitter spænding maks. | 650 V | |
| Gate emitter spænding maks. | ±20 V, ±30 V | |
| Effektafsættelse maks. | 230 W | |
| Kapslingstype | PG-TO263-3 | |
| Benantal | 3 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. 79 A | ||
Kollektor emitter spænding maks. 650 V | ||
Gate emitter spænding maks. ±20 V, ±30 V | ||
Effektafsættelse maks. 230 W | ||
Kapslingstype PG-TO263-3 | ||
Benantal 3 | ||
Infineon højhastigheds switching-serie femtegenerations isoleret gate bipolær transistor.
Højeffektiv
Lavt koblingstab
Øget pålidelighed
Lav elektromagnetisk interferens
Lavt koblingstab
Øget pålidelighed
Lav elektromagnetisk interferens