IKB40N65ES5ATMA1, IGBT, 79 A 650 V, 3 ben, PG-TO263-3

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 52,96

(ekskl. moms)

Kr. 66,20

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 4.276 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 26,48Kr. 52,96
20 - 48Kr. 22,515Kr. 45,03
50 - 98Kr. 21,17Kr. 42,34
100 - 198Kr. 19,60Kr. 39,20
200 +Kr. 18,25Kr. 36,50

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
215-6655
Producentens varenummer:
IKB40N65ES5ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kollektorstrøm kontinuerlig maks.

79 A

Kollektor emitter spænding maks.

650 V

Gate emitter spænding maks.

±20 V, ±30 V

Effektafsættelse maks.

230 W

Kapslingstype

PG-TO263-3

Benantal

3

Infineon højhastigheds switching-serie femtegenerations isoleret gate bipolær transistor.

Højeffektiv
Lavt koblingstab
Øget pålidelighed
Lav elektromagnetisk interferens

Relaterede links