Infineon, IGBT, Type N-Kanal, 4 A 600 V, TO-251

Denne IGBT er en meget effektiv transistor, der er designet til brug i krævende applikationer. Med en maksimal kollektor-emitterspænding på 600 V og en kontinuerlig kollektorstrøm på 4 A har dette TO-251 IGBT-modul en fremragende ydeevne. De kompakte mål på 6,6 x 6,1 x 0,09 mm gør den velegnet til en række forskellige opsætninger, samtidig med at den fungerer effektivt inden for et temperaturområde fra -40 °C til +175 °C.

• Meget lav mætningsspænding forbedrer energieffektiviteten

• Anvendes i frekvensomformere til effektiv energikonvertering

Denne enhed har en maksimal kollektor-emitterspænding på 600 V og en kontinuerlig kollektorstrøm på 4 A, hvilket gør den velegnet til applikationer med høj effekt. Dens maksimale effektafledning er på 42W, så den kan håndtere store belastninger effektivt.

Gate-emitter-spændingsområdet på ±20V giver fleksibilitet i kørekonfigurationer, hvilket muliggør integration med en række forskellige kontrolkredsløb, samtidig med at der opretholdes stabil drift under forskellige forhold.

Med en termisk modstand på 3,5 K/W mellem forbindelsen og kabinettet sikrer denne IGBT effektiv varmestyring, hvilket muliggør langvarig drift ved høje temperaturer uden forringelse af ydeevnen, hvilket er afgørende for applikationer med høj effekt.

Enheden fungerer mellem -40 °C og +175 °C, hvilket sikrer pålidelighed ved ekstreme temperaturer, som er afgørende for industrielle applikationer, der udsættes for varierende miljøforhold.