IGU04N60TAKMA1, IGBT, N-Kanal, 4 A 600 V, TO-251 1

Se alle IGBT
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 23,88

(ekskl. moms)

Kr. 29,85

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.
På lager hos producent
  • Klar til afsendelse fra 03. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 5Kr. 4,776Kr. 23,88
10 - 95Kr. 4,518Kr. 22,59
100 - 245Kr. 4,278Kr. 21,39
250 - 495Kr. 4,114Kr. 20,57
500 +Kr. 3,89Kr. 19,45

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
244-0897
Producentens varenummer:
IGU04N60TAKMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kollektorstrøm kontinuerlig maks.

4 A

Kollektor emitter spænding maks.

600 V

Gate emitter spænding maks.

±20.0V

Antal transistorer

1

Effektafsættelse maks.

42 W

Kapslingstype

TO-251

Konfiguration

Single

Monteringstype

Hulmontering

Kanaltype

N

Dimensioner

6.6 x 6.1 x 0.09mm

Portkapacitans

252pF

Driftstemperatur maks.

+175 °C

Driftstemperatur min.

-40 °C

Infineon IGBT, 4A maksimal kontinuerlig kollektorstrøm, 600V maksimal kollektor-emitterspænding - IGU04N60TAKMA1


Denne IGBT er en meget effektiv transistor, der er designet til brug i krævende applikationer. Med en maksimal kollektor-emitterspænding på 600 V og en kontinuerlig kollektorstrøm på 4 A har dette TO-251 IGBT-modul en fremragende ydeevne. De kompakte mål på 6,6 x 6,1 x 0,09 mm gør den velegnet til en række forskellige opsætninger, samtidig med at den fungerer effektivt inden for et temperaturområde fra -40 °C til +175 °C.

Egenskaber og fordele


• Meget lav mætningsspænding forbedrer energieffektiviteten
• Kortslutningsmodstandstid på 5 μs øger pålideligheden
• Høj skiftehastighed optimerer systemets ydeevne
• Lav gate-ladning reducerer behovet for drivereffekt
• Fremragende termisk stabilitet sikrer konstant drift
• Stram parameterfordeling forbedrer designfleksibiliteten

Anvendelser


• Anvendes i frekvensomformere til effektiv energikonvertering
• Ideel til elektriske motordrev i industrielle omgivelser
• Effektiv i strømforsyningen, hvor pladsen er begrænset
• Velegnet til vedvarende energisystemer, der kræver høj effektivitet
• Designet til forskellige former for automatisering, der kræver pålidelighed

Hvad er de vigtigste elektriske egenskaber ved denne IGBT?


Denne enhed har en maksimal kollektor-emitterspænding på 600 V og en kontinuerlig kollektorstrøm på 4 A, hvilket gør den velegnet til applikationer med høj effekt. Dens maksimale effektafledning er på 42W, så den kan håndtere store belastninger effektivt.

Hvordan påvirker gate-emitter-spændingsområdet anvendeligheden?


Gate-emitter-spændingsområdet på ±20V giver fleksibilitet i kørekonfigurationer, hvilket muliggør integration med en række forskellige kontrolkredsløb, samtidig med at der opretholdes stabil drift under forskellige forhold.

Hvad er fordelene ved specifikationerne for termisk modstand?


Med en termisk modstand på 3,5 K/W mellem forbindelsen og kabinettet sikrer denne IGBT effektiv varmestyring, hvilket muliggør langvarig drift ved høje temperaturer uden forringelse af ydeevnen, hvilket er afgørende for applikationer med høj effekt.

Hvad gør denne IGBT velegnet til barske miljøer?


Enheden fungerer mellem -40 °C og +175 °C, hvilket sikrer pålidelighed ved ekstreme temperaturer, som er afgørende for industrielle applikationer, der udsættes for varierende miljøforhold.

Relaterede links