FP15R12W1T4BOMA1, IGBT-modul, 28 A 1200 V 7
- RS-varenummer:
- 244-5387
- Producentens varenummer:
- FP15R12W1T4BOMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 346,70
(ekskl. moms)
Kr. 433,38
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 24 enhed(er) afsendes fra 29. december 2025
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 1 | Kr. 346,70 |
| 2 - 4 | Kr. 329,34 |
| 5 - 9 | Kr. 296,43 |
| 10 + | Kr. 294,71 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 244-5387
- Producentens varenummer:
- FP15R12W1T4BOMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kollektorstrøm kontinuerlig maks. | 28 A | |
| Kollektor emitter spænding maks. | 1200 V | |
| Gate emitter spænding maks. | +/-20V | |
| Effektafsættelse maks. | 130 W | |
| Antal transistorer | 7 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kollektorstrøm kontinuerlig maks. 28 A | ||
Kollektor emitter spænding maks. 1200 V | ||
Gate emitter spænding maks. +/-20V | ||
Effektafsættelse maks. 130 W | ||
Antal transistorer 7 | ||
The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, motor drives and air conditioning etc.
Electrical features
Low switching losses, low inductive design
Trench IGBT 3
VCEsat with positive temperature coefficient
Low VCEsat
Mechanical features
Al2O3 substrate with low thermal resistance
Compact design
Solder contact technology
Rugged mounting due to integrated mounting clamps
Low switching losses, low inductive design
Trench IGBT 3
VCEsat with positive temperature coefficient
Low VCEsat
Mechanical features
Al2O3 substrate with low thermal resistance
Compact design
Solder contact technology
Rugged mounting due to integrated mounting clamps