Infineon, IGBT-modul, 75 A 1200 V 7

Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 894,56

(ekskl. moms)

Kr. 1.118,20

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 25. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 1Kr. 894,56
2 - 4Kr. 876,58
5 +Kr. 788,99

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
244-5835
Producentens varenummer:
FP50R12KE3BOSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

IGBT-modul

Kollektorstrøm kontinuerlig maks. Ic

75A

Kollektor emitter spænding maks. Vceo

1200V

Antal transistorer

7

Effektafsættelse maks. Pd

280W

Portsenderspænding maks.

20 V

Kollektor emitter mætningsspænding maks. VceSAT

2.15V

Min. driftstemperatur

-40°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Serie

FP50R12KE3

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon IGBT-modulet den maksimale nominelle kollektor-emitter-spænding er 1200 V, og det samlede effekttab er 280 W, den maksimale gate-tærskelspænding er 6,5 V.

Intern isolering, grundlæggende isolering (klasse 1, IEC 61140)

Gate-emitter, Peak spænding +/- 20 V.

Kollektor-emitter mætningsspænding 2,30 V.

Gate-emitter lækstrøm 400 NA

Relaterede links