FP50R12KE3BOSA1, IGBT-modul, 75 A 1200 V 7

Se alle IGBT

Indhold (1 bakke af 10 enheder)*

Kr. 7.482,74

(ekskl. moms)

Kr. 9.353,42

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 10 enhed(er) afsendes fra 05. august 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr bakke*
10 +Kr. 748,274Kr. 7.482,74

*Vejledende pris

RS-varenummer:
244-5834
Producentens varenummer:
FP50R12KE3BOSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kollektorstrøm kontinuerlig maks.

75 A

Kollektor emitter spænding maks.

1200 V

Gate emitter spænding maks.

±20V

Antal transistorer

7

Effektafsættelse maks.

280 W

The infineon IGBT module the maximum rated collector emitter voltage is 1200 V and toatal power dissipation is 280 W, maximum gate threshold voltage is 6.5 V.

Internal isolation basic insulation (class 1, IEC 61140)
Gate-emitter peak voltage + /- 20 V
Collector-emitter saturation voltage 2.30 V
Gate-emitter leakage current 400 nA

Relaterede links