NXH100B120H3Q0SG, IGBT-modul, 61 A 1200 V, Hus 180AJ (blyfri og halogenfri) loddeben 2

Se alle IGBT

Indhold (1 bakke af 24 enheder)*

Kr. 9.747,48

(ekskl. moms)

Kr. 12.184,344

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 24 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr bakke*
24 +Kr. 406,145Kr. 9.747,48

*Vejledende pris

RS-varenummer:
245-6963
Producentens varenummer:
NXH100B120H3Q0SG
Brand:
onsemi
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

onsemi

Kollektorstrøm kontinuerlig maks.

61 A

Kollektor emitter spænding maks.

1200 V

Gate emitter spænding maks.

±20V

Effektafsættelse maks.

186 W

Antal transistorer

2

Kapslingstype

Hus 180AJ (blyfri og halogenfri) loddeben

ON Semiconductor Dual Boost strømmodul er et effektmodul, der indeholder et dobbelt boost-trin. De integrerede IGBT'er og SiC-dioder med stop i felten giver lavere ledningstab og kontakttab, hvilket gør det muligt for designere at opnå høj effektivitet og overlegen pålidelighed.

1200 V Ultra Field Stop IGBT'er
Low Reverse Recovery og fast switching SiC-dioder
1600 V bypass- og antiparallelle dioder
Lav induktiv layout
Lodbare stifter eller trykmonterede stifter
Termistormuligheder med påsat termisk grænseflademateriale og uden anvendt Tim

Relaterede links